C 5953-3：2019
（1）
目 次
ページ
序文 ··································································································································· 1
1 適用範囲························································································································· 1
2 引用規格························································································································· 1
3 用語及び定義並びに略号 ···································································································· 3
3.1 用語及び定義 ················································································································ 3
3.2 略号 ···························································································································· 3
4 製品仕様························································································································· 3
4.1 絶対最大定格 ················································································································ 3
4.2 動作環境 ······················································································································ 4
4.3 電気的・光学的性能 ······································································································· 4
4.4 配線図 ························································································································· 6
5 試験······························································································································· 6
5.1 一般事項 ······················································································································ 6
5.2 特性評価試験 ················································································································ 6
5.3 性能保証試験 ················································································································ 8
6 環境に関する仕様 ············································································································ 10
6.1 安全性全般 ·················································································································· 10
6.2 レーザの安全性 ············································································································ 10
附属書JA（参考）JISと対応国際規格との対比表 ······································································ 11
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（2）
まえがき
この規格は，工業標準化法第14条によって準用する第12条第1項の規定に基づき，一般財団法人光産
業技術振興協会（OITDA）及び一般財団法人日本規格協会（JSA）から，工業標準原案を具して日本工業
規格を改正すべきとの申出があり，日本工業標準調査会の審議を経て，経済産業大臣が改正した日本工業
規格である。これによって，JIS C 5953-3:2007は改正され，この規格に置き換えられた。
この規格は，著作権法で保護対象となっている著作物である。
この規格の一部が，特許権，出願公開後の特許出願又は実用新案権に抵触する可能性があることに注意
を喚起する。経済産業大臣及び日本工業標準調査会は，このような特許権，出願公開後の特許出願及び実
用新案権に関わる確認について，責任はもたない。
JIS C 5953の規格群には，次に示す部編成がある。
JIS C 5953-1 第1部：総則
JIS C 5953-3 第3部：40 Gbit/s帯変調器集積形半導体レーザモジュール
JIS C 5953-4 第4部：1 300 nmギガビットイーサネット用光トランシーバ
JIS C 5953-5 第5部：半導体レーザ駆動回路及びクロックデータ再生回路内蔵ATM-PON用光トラン
シーバ
JIS C 5953-6 第6部：650 nm，250 Mbit/sプラスチック光ファイバ伝送用光トランシーバ
JIS C 5953-7 第7部：GPON用光トランシーバ
日本工業規格 JIS
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光伝送用能動部品−性能標準−
第3部：40 Gbit/s帯変調器集積形
半導体レーザモジュール
Fiber optic active components and devices-Performance standards-
Part 3: Modulator-integrated laser diode transmitters for
40 Gbit/s fiber optic transmission systems
序文
この規格は，2014年に第2版として発行されたIEC 62149-3を基とし，技術定義に明らかな誤りの部分
又は不明瞭な部分があるため，技術的内容を変更して作成した日本工業規格である。
なお，この規格で側線又は点線の下線を施してある箇所は，対応国際規格を変更している事項である。
変更の一覧表にその説明を付けて，附属書JAに示す。
光伝送用送信モジュールは，電気信号を光信号に変換するために用いる部品である。この規格は，1 550
nm帯における光通信アプリケーション用の40 Gbit/s帯変調器集積形半導体レーザモジュールに関する性
能標準である。
1
適用範囲
この規格は，40 Gbit/s帯の2値光強度変調符号を用いた光伝送システム用変調器集積形半導体レーザモ
ジュールの性能標準について規定する。性能標準は，明確に定義された条件，厳しさ，及び合格又は不合
格の判定基準の下で行われる試験・測定が，一連のセットとなって製品性能要求事項として定義する。試
験は，製品が性能標準要求事項を全て満足することを証明するための設計検証として実施する。
この規格で規定する全ての要求事項を満たす製品は，この規格に適合していると宣言することができる。
その場合，その製品は品質保証プログラムによって管理されている必要がある。
注記 この規格の対応国際規格及びその対応の程度を表す記号を，次に示す。
IEC 62149-3:2014，Fibre optic active components and devices−Performance standards−Part 3:
Modulator-integrated laser diode transmitters for 2,5-Gbit/s to 40-Gbit/s fibre optic transmission
systems（MOD）
なお，対応の程度を表す記号“MOD”は，ISO/IEC Guide 21-1に基づき，“修正している”
ことを示す。
2
引用規格
次に掲げる規格は，この規格に引用されることによって，この規格の規定の一部を構成する。これらの
引用規格のうちで，西暦年を付記してあるものは，記載の年の版を適用し，その後の改正版（追補を含む。）
2
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は適用しない。西暦年の付記がない引用規格は，その最新版（追補を含む。）を適用する。
JIS C 6802 レーザ製品の安全基準
注記 対応国際規格：IEC 60825-1:2014，Safety of laser products−Part 1: Equipment classification and
requirements
JIS C 6950-1 情報技術機器−安全性−第1部：一般要求事項
注記 対応国際規格：IEC 60950-1:2005，AMD1:2009，AMD2:2013 CSV Consolidated version,
Information technology equipment−Safety−Part 1: General requirements
JIS C 61300-2-1 光ファイバ接続デバイス及び光受動部品−基本試験及び測定手順−第2-1部：正弦
波振動試験
注記 対応国際規格：IEC 61300-2-1:2009，Fibre optic interconnecting devices and passive components
−Basic test and measurement procedures−Part 2-1: Tests−Vibration (sinusoidal)
JIS C 61300-2-9 光ファイバ接続デバイス及び光受動部品−基本試験及び測定手順−第2-9部：衝撃
試験
注記 対応国際規格：IEC 61300-2-9:2017，Fibre optic interconnecting devices and passive components
−Basic test and measurement procedures−Part 2-9: Tests−Shock
JIS C 61300-2-17 光ファイバ接続デバイス及び光受動部品−基本試験及び測定手順−第2-17部：低
温試験
注記 対応国際規格：IEC 61300-2-17:2010，Fibre optic interconnecting devices and passive components
−Basic test and measurement procedures−Part 2-17: Tests−Cold
JIS C 61300-2-18 光ファイバ接続デバイス及び光受動部品−基本試験及び測定手順−第2-18部：高
温試験
注記 対応国際規格：IEC 61300-2-18:2005，Fibre optic interconnecting devices and passive components
−Basic test and measurement procedures−Part 2-18: Tests−Dry heat−High temperature endurance
JIS C 61300-2-19 光ファイバ接続デバイス及び光受動部品−基本試験及び測定手順−第2-19部：高
温高湿試験（定常状態）
注記 対応国際規格：IEC 61300-2-19:2012，Fibre optic interconnecting devices and passive components
−Basic test and measurement procedures−Part 2-19: Tests−Damp heat (steady state)
JIS C 61300-2-22 光ファイバ接続デバイス及び光受動部品−基本試験及び測定手順−第2-22部：温
度サイクル試験
注記 対応国際規格：IEC 61300-2-22:2007，Fibre optic interconnecting devices and passive components
−Basic test and measurement procedures−Part 2-22: Tests−Change of temperature
JIS C 61300-2-47 光ファイバ接続デバイス及び光受動部品−基本試験及び測定手順−第2-47部：熱
衝撃試験
注記 対応国際規格：IEC 61300-2-47:2010，Fibre optic interconnecting devices and passive components
−Basic test and measurement procedures−Part 2-47: Tests−Thermal shocks
IEC 60749-7:2011，Semiconductor devices−Mechanical and climatic test methods−Part 7: Internal moisture
content measurement and the analysis of other residual gases
IEC 60749-26:2013，Semiconductor devices−Mechanical and climatic test methods−Part 26: Electrostatic
discharge (ESD) sensitivity testing−Human body model (HBM)
IEC 62007-1:2015，Semiconductor optoelectronic devices for fibre optic system applications−Part 1:
3
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Specification template for essential ratings and characteristics
IEC 62572-3:2016，Fibre optic active components and devices−Reliability standards−Part 3: Laser modules
used for telecommunication
ITU-T G.694.1，Spectral grids for WDM applications:DWDM frequency grid
ITU-T G.957，Optical interfaces for equipments and systems relating to the synchronous digital hierarchy
MIL-STD-883K，U. S. Department of Defence−Test method standard−Microcircuits
3
用語及び定義並びに略号
3.1
用語及び定義
この規格で用いている物理的事象に関する用語及び素子の分類，並びに素子の定格及び特性に関する一
般的な用語及びその定義は，IEC 62007-1:2015による。
3.2
略号
DC
直流電流
（Direct current）
EA
電界吸収
（Electroabsorption）
LD
半導体レーザ
（Laser diode）
PD
フォトダイオード
（Photodiode）
PRBS 疑似ランダムビットシーケンス
（Pseudo-random bit sequence）
RF
高周波
（Radio frequency）
4
製品仕様
4.1
絶対最大定格
表1に規定する絶対最大定格は，各々の項目がそれぞれ独立事象であり，かつ，表に記載した項目以外
の特性パラメータが全て通常の動作条件範囲内である限りにおいては，表に記載する複数の項目がその値
になったとしても，製品に破壊的な損傷を与えることがない限界値であることを意味する。絶対最大定格
の各々の値は，いかなる場合においても，どの一つのパラメータでもそれを超えてはならない。
4
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表1−絶対最大定格
項目
記号
最小値
最大値
単位
動作時ケース温度（ケース底面温度）
Tcase
0
＋70
℃
保存温度
Tstg
−40
＋85
℃
はんだ付け温度（ケースまでの最小距離で）
Tsid
−
260
（10秒）
℃
半導体レーザ
逆電圧
VR(LD)
−
2
V
順電流
IF(LD)
−
200
mA
光出力
φe
−
10
mW
フォトダイオード
逆電圧
VR(PD)
−
10
V
順電流
IF(PD)
−
1
mA
変調器
逆電圧
VRm
−
5
V
順電圧
VFm
−
1
V
電子冷却素子
冷却電流
IP
−
1.5
A
冷却電圧
VP
−
2.5
V
4.2
動作環境
動作環境を，表2に規定する。
表2−動作環境
項目
記号
最小値
最大値
単位
動作時ケース温度
Tcase
0
70
℃
4.3
電気的・光学的性能
電気的・光学的性能は，表3に規定する動作条件において表4の規定値の範囲内とする。
表3−動作条件
項目
記号
最小値
最大値
単位
半導体レーザ動作電流
Iop
50
200
mA
半導体レーザ動作温度
Top
15
35
℃
変調器逆バイアス電圧
VRmc
0.5
1.5
V
変調電圧幅
VRmpp
2
3
V
注記 ITU-T G.694.1で勧告する波長に一致させるように，上記の範囲内で動作条件を設定する。
5
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表4−電気的・光学的性能
電気的・光学的特性
［特に記載がない限り，TLD＝Top，IF(LD)＝Iop，
変調器逆電圧（VRm）＝0 Vとする。］
記号
最小値
最大値
単位
変調器及び半導体レーザ
変調速度
X
−
43.02 a)
Gbit/s
順電圧（規定したφe又はIopにおいて測定する。）
VF(LD)
−
2.2
V
しきい値電流
I(TH)
−
50
mA
光出力（規定したIopにおいて測定する。）
φe
0.5
−
mW
キンクフリー光出力
φe
0.6
−
mW
消光比（変調のときの規定したφe又はIopにおいて測定する。）b)
ER
8.2
−
dB
ピーク発振波長（変調のときの規定したφe又はIopにおいて測定す
る。）b)，c)
λP
c)
c)
nm
サイドモード抑圧比（変調のときの規定したφe又はIopにおいて測定
する。）b)
SMSR
30
−
dB
切替時間（変調のときの規定したφe又は
Iopにおいて測定する。）
上昇時間b)
tr
−
600/X
ps
下降時間b)
tf
−
600/X
ps
RF反射損失（規定したφe又はIopにおいて測定する。VRm＝1/2VRmpp，
50 Ω終端，f＝X GHzにおいて規定する。）
S11
6.0
−
dB
分散ペナルティ（規定したφe又はIopにおいて測定する。測定は変調
状態で行い，規定した長さの光ファイバを用いる。）b)
Pe
−
2
dB
モニタ用フォトダイオード
暗電流［φe＝0とし，規定したVR(PD) において測定する。］
IDARK
−
10
nA
出力電流［規定したφe又はIop及びVR(PD) において測定する。］
IM
50
2 000
μA
トラッキングエラー［動作温度範囲内における25 ℃における基準値と
の差。規定したφe又はIop及びVR(PD) において測定する。］
TE
−0.5
0.5
dB
温度センサ
サーミスタ抵抗（規定したセンサ電流において測定する。）
Rs
9.5
10.5
kΩ
サーミスタB定数d)
B
3 300
3 950
K
電子冷却素子
電子冷却素子電流［ΔT＝Tcase(max)−TLD，ΔT＝TLD−Tcase(min) とし，規定
したφe又はIopにおいて測定する。］
Ip
−
1.5
A
電子冷却素子電圧［ΔT＝Tcase(max)−TLD，ΔT＝TLD−Tcase(min) とし，規定
したφe又はIopにおいて測定する。］
Vp
−
2.5
V
注a) この規格の上限規格値。実際の変調速度上限値は，光伝送システム要求に基づき設定される。
b) ITU-T G.957によるビットレートで，PRBS 223−1の信号を用い，VRm＝VRmc±1/2VRmppとする。
c) ITU-T G.694.1による。
d) B＝ln(R/R0)/(1/T−1/T0)。ここで，Rは周囲温度がT(K) の抵抗値，R0は周囲温度がT0(K) の抵抗値とする。
6
C 5953-3：2019
4.4
配線図
代表的な端子配線図の例を，図1に示す。
図1−端子配線図
5
試験
5.1
一般事項
性能標準を確定した後，初期の特性評価及び性能保証確認を行わなければならない。試験プログラムを
定期的に行うことによって，品質が維持される。全試験の温度条件は，特に断りがない限り，25 ℃±2 ℃
とする。
5.2
特性評価試験
特性評価試験は，最低三つの異なる生産ロットから選ばれた最低20個の製品について実施しなければな
らない。試験条件は，表5に規定する。
PD アノード
DC バイアス
ケース接地
PD カソード
ケース接地
RF 入力
EA 変調器
半導体
レーザ
モニタ
PD
サーミスタ
電子冷却素子
7
C 5953-3：2019
表5−特性評価試験
電気的・光学的特性
［特に記載がない限り，TLD＝Top，IF(LD)＝Iop，
変調器逆電圧（VRm）＝0 Vとする。］
記号
最小値
最大値
単位
変調器及び半導体レーザ
変調速度
X
−
43.02 a)
Gbit/s
順電圧（規定したφe又はIopにおいて測定する。）
VF(LD)
−
2.2
V
しきい値電流
I(TH)
−
50
mA
光出力（規定したIopにおいて測定する。）
φe
0.5
−
mW
キンクフリー光出力
φe
0.6
−
mW
消光比（変調のときの規定したφe又はIopにおいて測定する。）b)
ER
8.2
−
dB
ピーク発振波長（変調のときの規定したφe又はIopにおいて測定
する。）b)，c)
λP
c)
c)
nm
サイドモード抑圧比（変調のときの規定したφe又はIopにおいて
測定する。）b)
SMSR
30
−
dB
切替時間（変調のときの規定したφe又
はIopにおいて測定する。）
上昇時間b)
tr
−
600/X
ps
下降時間b)
tf
−
600/X
ps
RF反射損失（規定したφe又はIopにおいて測定する。VRm＝
1/2VRmpp，50 Ω終端，f＝X GHzにおいて規定する。）
S11
6.0
−
dB
分散ペナルティ（規定したφe又はIopにおいて測定する。測定は
変調状態で行い，規定した長さの光ファイバを用いる。）b)
Pe
−
2
dB
モニタ用フォトダイオード
暗電流［φe＝0とし，規定したVR(PD) において測定する。］
IDARK
−
10
nA
出力電流［規定したφe又はIop及びVR(PD) において測定する。］
Im
50
2 000
μA
トラッキングエラー［動作温度範囲内における25 ℃における基準
値との差。規定したφe又はIop及びVR(PD) において測定する。］
TE
−0.5
0.5
dB
温度センサ
サーミスタ抵抗（規定したセンサ電流において測定する。）
Rs
9.5
10.5
kΩ
サーミスタB定数d)
B
3 300
3 950
K
電子冷却素子
電子冷却素子電流［ΔT＝Tcase(max)−TLD，ΔT＝TLD−Tcase(min) とし，
規定したφe又はIopにおいて測定する。］
Ip
−
1.5
A
電子冷却素子電圧［ΔT＝Tcase(max)−TLD，ΔT＝TLD−Tcase(min) とし，
規定したφe又はIopにおいて測定する。］
Vp
−
2.5
V
注a) この規格の上限規格値。実際の変調速度上限値は，光伝送システム要求に基づき設定される。
b) ITU-T G.957によるビットレートで，PRBS 223−1の信号を用い，VRm＝VRmc±1/2VRmppとする。
c) ITU-T G.694.1による。
d) B＝ln(R/R0)/(1/T−1/T0)。ここで，Rは周囲温度がT(K) の抵抗値，R0は周囲温度がT0(K) の抵抗値とする。
8
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5.3
性能保証試験
特性評価試験完了後に性能保証試験を行う。性能保証試験については表6に，性能保証試験の故障判定
基準については表7に規定する。
表6−性能保証試験項目
試験項目
参照規格
条件
試料数
モジュール寿命試験 高温保存
JIS C 61300-2-18
温度：T＝Tstg max
時間：＞2 000時間b)
11
低温保存
JIS C 61300-2-17
温度：T＝Tstg min
時間：＞2 000時間b)
11
温度サイクル
JIS C 61300-2-22
試験Na
温度：TA＝Tstg min
TB＝Tstg max
回数：100回
さらし時間d)
11
高温高湿
JIS C 61300-2-19
温度：T＝40 ℃
湿度：相対湿度95 %
時間：56日
11
温湿度サイクル
MIL-STD-883K，Method 1004
11
半導体レーザ寿命試験（サブマウント付き） IEC 62572-3
光出力：規定の一定出力
温度：2温度以上
Tsub1＝Tsub max
Tsub2≦(Tsub1−20 ℃)又はTsub2≦
(Tsub1−10 ℃)（適用可能な場合に限
る。）
時間：＞5 000時間b)
協定によ
って決定c)
フォトダイオード寿命試験（代表的なパッ
ケージに固定）
IEC 62572-3
電流又は電圧：規定のVR又はIR
温度：2温度以上
Tsub1＝125 ℃以上a)
Tsub2≦(Tsub1−30 ℃)
時間：＞1 000時間
協定によ
って決定c)
電子冷却素子のパワーサイクル
繰返し回数：20 000回
Tcase＝Top max
Tsub＝Tcase〜(Tcase−ΔTmax)
11
温度センサの高温保存
MIL-STD-883K
Method 1008
温度：T＝Tstg max（センサ）
25
ピッグテール強度
1 kg，5秒，3回
11
衝撃
JIS C 61300-2-9
5 000 m/s2，1.0 ms，5回／軸
11
振動
JIS C 61300-2-1
200 m/s2，20 Hz〜2 000 Hz，4分／
サイクル，4サイクル／軸
11
熱衝撃
JIS C 61300-2-47
ΔT＝100 ℃
11
静電気放電
IEC 60749-26
人体帯電モデル
11
内部水分量（体積比）
IEC 60749-7
≦5 000×10−6
11
注a) 又は技術的に可能な最高値。
b) 摩耗故障による寿命の分布に関するデータが十分な精度で蓄積されている場合，2 000時間でよい。しかし，
寿命の正確な予測には，5 000時間の持続時間が必要であり，10 000時間を上限として，寿命を正確に推定で
きるまで試験を続行することが望ましい。
c) 試料数は，受渡当事者間の協定によって決定する。
d) さらし時間は，参照規格に従って決定する。
9
C 5953-3：2019
表7−性能保証試験の故障判定基準
デバイス
パラメータ
故障判定基準
測定条件
半導体レーザ
しきい値電流又は動作
電流
≧50 %増加a) 又は≧10 mA増加
［I(TH)＜20 mAの場合］
25 ℃又は寿命試験温度
スロープ効率
≧10 %変化a)
25 ℃又は寿命試験温度
順電圧
≧10 %変化a)
25 ℃又は寿命試験温度
光／電流曲線のキンク
規定された光出力φeの1.2倍の
範囲で線形性変化＞10 % a)
Top min，25 ℃，Top max
波長
アプリケーションを参照
25 ℃ b)
フォトダイオード
暗電流
≧上限規格値又は≧10 nA増加a)
25 ℃
半導体レーザモジュ
ール
しきい値又は動作電流
≧50 %増加a) 又は≧10 mA増加
［I(TH)＜20 mAの場合］
25 ℃又は寿命試験温度
ファイバ端光出力
≧10 %変化a)
寿命試験温度
IMは初期値
光／電流曲線のキンク
規定された光出力φeの1.2倍の
範囲で線形性変化＞10 % a)
Top min，25 ℃，Top max
波長
個別仕様書及びアプリケーショ
ンを参照
個別仕様書参照
トラッキング比
（IM/Pfibre）
＜下限規格値，≧上限規格値
Top min−Top max
規定の出力において
フォトダイオードの暗
電流
≧上限規格値又は≧10 nA増加a)
25 ℃
サーミスタ抵抗
≧5 %変化a)
25 ℃又は寿命試験におけるサ
ブマウント温度Tsub
電子冷却素子電流
≧10 %変化a)
試験中一定のΔTを保持する
電子冷却素子電圧
≧10 %変化a)
注a) 試験前後の値の変化。
b) 25 ℃又は受渡当事者間の協定によって決定する。
10
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6
環境に関する仕様
6.1
安全性全般
この規格に該当する全ての製品は，JIS C 6950-1に適合しなければならない。
6.2
レーザの安全性
光送信部は，JIS C 6802に適合することを保証しなければならない。
レーザ製品の製造業者は，レーザ安全性規格及び法規制に沿って，そのレーザ製品，安全性能，ラベル
表示，使用法，維持及び保守についての情報を提供する必要がある。その文書は，製品を使用しているシ
ステムがこれらの安全性保証事項に適合するように満たすべき要求事項と使用上の制限事項とを明確に規
定しなければならない。
参考文献 IEC 61300 (all parts)，Fibre optic interconnecting devices and passive components−Basic test and
measurement procedures
IEC 60793 (all parts)，Optical fibres
IEC 60825 (all parts)，Safety of laser products
IEC 60874 (all parts series)，Fibre optic interconnecting devices and passive components−Connectors
for optical fibres and cables
IEC TR 62572-2，Fibre optic active components and devices−Reliability standards−Part 2: Laser
module degradation
IEC 61280 (all parts)，Fibre optic communication subsystem test procedures
IEC 62007-2，Semiconductor optoelectronic devices for fibre optic system applications−Part 2:
Measuring methods
11
C 5953-3：2019
附属書JA
（参考）
JISと対応国際規格との対比表
JIS C 5953-3: 2019 光伝送用能動部品−性能標準−第3部：40 Gbit/s帯変調器集
積形半導体レーザモジュール
IEC 62149-3:2014，Fibre optic active components and devices−Performance standards−
Part 3: Modulator-integrated laser diode transmitters for 2,5-Gbit/s to 40-Gbit/s fibre optic
transmission systems
(I)JISの規定
(II)
国際
規格
番号
(III)国際規格の規定
(IV)JISと国際規格との技術的差異の箇条
ごとの評価及びその内容
(V)JISと国際規格との技術的差異
の理由及び今後の対策
箇条番号
及び題名
内容
箇条
番号
内容
箇条ごと
の評価
技術的差異の内容
規格名称
40 Gbit/s
規格名称
2.5-Gbit/s to 40-Gbit/s
変更
表題を修正した。
変調速度の最小値を規定しないこと
に伴い，規格名称から“2.5-Gbit/s to”
を削除した。IECの改訂版の審議中
に提案し，採択される見込みである。
1 適用範囲 変調速度
1
変調速度
変更
変調速度を変更した。
変調速度の最小値を規定しないこと
に伴い，“2.5-Gbit/s to”を削除した。
IECの改訂版の審議中に提案し，採
択される見込みである。
2 引用規格
3 用語及び
定義並びに
略号
3.2 略号
3.2
記号
変更
記号を省略して，略号を追記し
た。
記号の記載内容が，本文に記載され
ていることから不要であること，及
び本文に記載された略号の説明がな
かったことから，変更した。IECの
改訂版の審議中に提案し，採択され
る見込みである。
5
C
5
9
5
3
-3
：
2
0
1
9
12
C 5953-3：2019
(I)JISの規定
(II)
国際
規格
番号
(III)国際規格の規定
(IV)JISと国際規格との技術的差異の箇条
ごとの評価及びその内容
(V)JISと国際規格との技術的差異
の理由及び今後の対策
箇条番号
及び題名
内容
箇条
番号
内容
箇条ごと
の評価
技術的差異の内容
4 製品仕様 4.3 電気的・光学的
性能
4.3
電気的・光学的性能
変更
表4の変調速度の最小値を規定
しないこととし，欄外に補足説
明として注を追加した。また，
トラッキングエラーの最小値を
規定した。
表4に変調速度の最小値及び最大値
の両方が規定されていたが，この項
目は，この標準の変調速度上限規格
を規定するものであり，実際の上限
規格は適用される光通信システムに
よって規定されるため，変更した。
また，トラッキングエラーの最小値
の規定とともに，IECの改訂版の審
議中に提案し，採択される見込みで
ある。
5 試験
5.2 特性評価試験
5.2
特性評価試験
変更
表5の変調速度の最小値を規定
しないこととし，欄外に補足説
明として注を追加した。また，
トラッキングエラーの最小値を
規定した。
表5に変調速度の最小値及び最大値
の両方が規定されていたが，この項
目は，この標準の変調速度上限規格
を規定するものであり，実際の上限
規格は適用される光通信システムに
よって規定されるため，変更した。
トラッキングエラーの最小値の規定
とともに，IECの改訂版の審議中に
提案し，採択される見込みである。
5.2 特性評価試験
5.2
特性評価試験
削除
表5の“Manufactuing lot shall be
specified by each vendor.”（製造
ロットは製造者ごとに規定され
なければならない。）との記載を
削除した。
自明のことであること，及び表5に
記載する内容に適さないことから削
除した。IECの改訂版の審議中に提
案し，採択される見込みである。
5.3 性能保証試験
5.3
性能保証試験
追加
表6の温度サイクル試験条件を
追加した。
条件に漏れがあるため追加した。
IECの改訂版の審議中に提案し，採
択される見込みである。
5.3 性能保証試験
5.3
性能保証試験
追加
表6の半導体レーザ寿命試験条
件を追加した。
条件に漏れがあるため追加した。
IECの改訂版の審議中に提案し，採
択される見込みである。
5
C
5
9
5
3
-3
：
2
0
1
9
13
C 5953-3：2019
(I)JISの規定
(II)
国際
規格
番号
(III)国際規格の規定
(IV)JISと国際規格との技術的差異の箇条
ごとの評価及びその内容
(V)JISと国際規格との技術的差異
の理由及び今後の対策
箇条番号
及び題名
内容
箇条
番号
内容
箇条ごと
の評価
技術的差異の内容
5 試験
（続き）
5.3 性能保証試験
5.3
性能保証試験
変更
表6の衝撃試験条件及び振動試
験条件の単位を，SI単位系（m/s2）
に修正し，かつ，gnを10 m/s2に
丸めて換算した。
引用規格で用いられているSI単位系
（m/s2）に変更した。IECの改訂版
の審議中に提案し，採択される見込
みである。
5.3 性能保証試験
5.3
性能保証試験
変更
表7の光／電流曲線のキンクに
関する故障判定基準を，“規定
された光出力φeの1.2倍の範囲
で線形性変化＞10 %”に変更し
た。
良品判定基準になっていたので変更
した。IECの改訂版の審議中に提案
し，採択される見込みである。
JISと国際規格との対応の程度の全体評価：IEC 62149-3:2014，MOD
注記1 箇条ごとの評価欄の用語の意味は，次による。
− 削除 ················ 国際規格の規定項目又は規定内容を削除している。
− 追加 ················ 国際規格にない規定項目又は規定内容を追加している。
− 変更 ················ 国際規格の規定内容を変更している。
注記2 JISと国際規格との対応の程度の全体評価欄の記号の意味は，次による。
− MOD ··············· 国際規格を修正している。
5
C
5
9
5
3
-3
：
2
0
1
9